CoFeB靶材, CoFeB靶, 钴铁硼靶材, 钴铁硼溅射靶材, 钴铁硼磁性靶, 钴铁硼靶, 磁性靶材, MRAM靶材

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材质：CoFeB；产地：广东广州；规格：根据客户要求定制；用途：STT-MRAM/磁隧道结/存储芯片；品牌：UVTM；比例：根据客户要求调控；是否厂家：是；是否含税：是；起订量：1PCS；发货期限：25天；发货地：广州市

STT-MRAM/磁隧道结/存储芯片

详细说明：CoFeB靶材又称CoFeB靶、钴铁硼磁性靶，是一种高纯钴铁硼三元合金靶材，以高纯钴、铁、硼熔炼复合，典型成分可按工况调配（常见约20比60比20原子比），整体纯度可达99.9%及以上（3N级），成分均匀、磁性能稳定。靶材密度达7.8克每立方厘米及以上，组织致密、溅射稳定、膜层均匀结合力好。作为CoFeB溅射靶材，广泛用于自旋转移矩磁随机存储器（STT MRAM）与磁隧道结（MTJ）制备，作为磁性自由层与参考层，支撑高密度、低功耗非易失存储。

我司是国家高新技术企业、专精特新小巨人企业，拥有多项自主知识产权，获SONY GP绿色合作伙伴资质，支持旋转靶与平面靶定制及邦定加工。单片真空包装、附成分检测单与质保卡，面向全国及广州、上海、合肥等存储芯片重点城市供货，可物流配送，支持成分比例与靶型按需求定制，具体参数以实际规格书为准。

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